0 0 0
  8. NXV65UPR

Транзистори з каналом P SMD NXV65UPR

 
NXV65UPR
 
NEXPERIA
Артикул: 725812
Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -20В; -1,3А; Idm: -8,4А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
5+
11.28 грн
25+
6.44 грн
100+
5.64 грн
190+
5.35 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 5
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
NEXPERIA(1241)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262) TO236AB(1801352)
Напруга сток-джерело
-20В(1478965)
Струм стока
-1,3А(1636485)
Опір в стані провідності
0,15Ом(1492413)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
0,34Вт(1805617)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
5,8нКл(1712709)
Технологія
Trench(1712977)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
-8,4А(1888055)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори з каналом P SMD NXV65UPR
NEXPERIA
Артикул: 725812
Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -20В; -1,3А; Idm: -8,4А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
5+
11.28 грн
25+
6.44 грн
100+
5.64 грн
190+
5.35 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 5
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
NEXPERIA
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Корпус
TO236AB
Напруга сток-джерело
-20В
Струм стока
-1,3А
Опір в стані провідності
0,15Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
0,34Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
5,8нКл
Технологія
Trench
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
-8,4А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g