0 0 0
  7. PMDXB950UPEZ

Транзистори багатоканальні PMDXB950UPEZ

 
PMDXB950UPEZ
 
NEXPERIA
Артикул: 386981
Транзистор: P-MOSFET x2; Trench; польовий; -20В; -300мА; Idm: -2А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
18.61 грн
25+
12.48 грн
100+
11.16 грн
109+
8.91 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
NEXPERIA(1241)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DFN1010B-6(1801483) SOT1216(1801367)
Напруга сток-джерело
-20В(1478965)
Струм стока
-300мА(1492399)
Опір в стані провідності
2,1Ом(1459402)
Тип транзистора
P-MOSFET x2(1441255)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
2,1нКл(1636481)
Технологія
Trench(1712977)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Струм стоку в імпульсі
-2А(1709884)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори багатоканальні PMDXB950UPEZ
NEXPERIA
Артикул: 386981
Транзистор: P-MOSFET x2; Trench; польовий; -20В; -300мА; Idm: -2А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
18.61 грн
25+
12.48 грн
100+
11.16 грн
109+
8.91 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
NEXPERIA
Монтаж
SMD
Корпус
DFN1010B-6
Корпус
SOT1216
Напруга сток-джерело
-20В
Струм стока
-300мА
Опір в стані провідності
2,1Ом
Тип транзистора
P-MOSFET x2
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Заряд затвора
2,1нКл
Технологія
Trench
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
-2А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g