0 0 0
  7. PMEG200G10ELRX

Універсальні діоди SMD PMEG200G10ELRX

 
PMEG200G10ELRX
 
NEXPERIA
Артикул: 516213
Діод: випрямний; SMD; 200В; 1А; 34нс; SOD123W; Ufmax: 0,805В; Ir: 30нА
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
19.63 грн
25+
12.24 грн
100+
10.81 грн
102+
9.92 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Кількість: 1033 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
NEXPERIA(1241)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOD123W(1602462)
Зворотна напруга макс.
200В(1439532)
Пряма напруга макс.
0,805В(1880419)
Струм провідності
1А(1439523)
Структура напівпровідника
одиночний діод(1612600)
Час готовності
34нс(1758375)
Струм в імпульсі макс.
40А(1440567)
Струм витоку
30нА(1501441)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Тип діода
випрямний(1439519)
Властивості напівпровідникових елементів
silicon germanium diode (SiGe)(1880400)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,028 g
 
Універсальні діоди SMD PMEG200G10ELRX
NEXPERIA
Артикул: 516213
Діод: випрямний; SMD; 200В; 1А; 34нс; SOD123W; Ufmax: 0,805В; Ir: 30нА
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
19.63 грн
25+
12.24 грн
100+
10.81 грн
102+
9.92 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Кількість: 1033 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
NEXPERIA
Монтаж
SMD
Корпус
SOD123W
Зворотна напруга макс.
200В
Пряма напруга макс.
0,805В
Струм провідності
1А
Структура напівпровідника
одиночний діод
Час готовності
34нс
Струм в імпульсі макс.
40А
Струм витоку
30нА
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Тип діода
випрямний
Властивості напівпровідникових елементів
silicon germanium diode (SiGe)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,028 g