0 0 0
  7. PMEG200G30ELPX

Універсальні діоди SMD PMEG200G30ELPX

 
PMEG200G30ELPX
 
NEXPERIA
Артикул: 516215
Діод: випрямний; SMD; 200В; 3А; 31нс; SOD128; Ufmax: 0,81В; Ifsm: 85А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
57.22 грн
5+
30.36 грн
25+
27.34 грн
46+
22.17 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
NEXPERIA(1241)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOD128(1551482)
Зворотна напруга макс.
200В(1439532)
Пряма напруга макс.
0,81В(1734013)
Струм провідності
3А(1439526)
Структура напівпровідника
одиночний діод(1612600)
Час готовності
31нс(1633091)
Струм в імпульсі макс.
85А(1599647)
Струм витоку
30нА(1501441)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Тип діода
випрямний(1439519)
Властивості напівпровідникових елементів
silicon germanium diode (SiGe)(1880400)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,01 g
 
Універсальні діоди SMD PMEG200G30ELPX
NEXPERIA
Артикул: 516215
Діод: випрямний; SMD; 200В; 3А; 31нс; SOD128; Ufmax: 0,81В; Ifsm: 85А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
57.22 грн
5+
30.36 грн
25+
27.34 грн
46+
22.17 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
NEXPERIA
Монтаж
SMD
Корпус
SOD128
Зворотна напруга макс.
200В
Пряма напруга макс.
0,81В
Струм провідності
3А
Структура напівпровідника
одиночний діод
Час готовності
31нс
Струм в імпульсі макс.
85А
Струм витоку
30нА
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Тип діода
випрямний
Властивості напівпровідникових елементів
silicon germanium diode (SiGe)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,01 g