Транзистори багатоканальні PMGD780SN,115

 
PMGD780SN,115
 
Артикул: 000307
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,31А; 410мВт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
5+
11.63 грн
25+
10.08 грн
100+
9.15 грн
127+
7.67 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 1
Кількість: 1654 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Виробник
NEXPERIA(1241)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT363(1492061) SC88(1492436) TSSOP6(1635668)
Напруга сток-джерело
60В(1441252)
Струм стока
0,31А(1643335)
Опір в стані провідності
1,7Ом(1502513)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Потужність розсіювання
0,41Вт(1701890)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
1,05нКл(1642934)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,01 g
 
Транзистори багатоканальні PMGD780SN,115
NEXPERIA
Артикул: 000307
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,31А; 410мВт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
5+
11.63 грн
25+
10.08 грн
100+
9.15 грн
127+
7.67 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 1
Кількість: 1654 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
NEXPERIA
Монтаж
SMD
Корпус
SOT363
Корпус
SC88
Корпус
TSSOP6
Напруга сток-джерело
60В
Струм стока
0,31А
Опір в стані провідності
1,7Ом
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Потужність розсіювання
0,41Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
1,05нКл
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,01 g