Транзистори з каналом N SMD PMPB215ENEA/FX

 
PMPB215ENEA/FX
 
Артикул: 386923
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 80В; 1,2А; Idm: 7,6А; 1,6Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
21.27 грн
25+
19.25 грн
65+
16.18 грн
177+
15.30 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Кількість: 2860 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Виробник
NEXPERIA(1241)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DFN2020MD-6(1801473) SOT1220(1801474)
Напруга сток-джерело
80В(1441260)
Струм стока
1,2А(1479094)
Опір в стані провідності
445мОм(1636476)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
1,6Вт(1449364)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
7,2нКл(1479371)
Технологія
Trench(1712977)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Струм стоку в імпульсі
7,6А(1785363)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,015 g
 
Транзистори з каналом N SMD PMPB215ENEA/FX
NEXPERIA
Артикул: 386923
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 80В; 1,2А; Idm: 7,6А; 1,6Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
21.27 грн
25+
19.25 грн
65+
16.18 грн
177+
15.30 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Кількість: 2860 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
NEXPERIA
Монтаж
SMD
Корпус
DFN2020MD-6
Корпус
SOT1220
Напруга сток-джерело
80В
Струм стока
1,2А
Опір в стані провідності
445мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
1,6Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
7,2нКл
Технологія
Trench
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
7,6А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,015 g