0 0 0
  8. PMV120ENEAR

Транзистори з каналом N SMD PMV120ENEAR

 
PMV120ENEAR
 
NEXPERIA
Артикул: 386928
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,3А; Idm: 8,3А; SOT23,TO236AB
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
27.81 грн
10+
20.82 грн
50+
15.58 грн
98+
10.27 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
NEXPERIA(1241)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262) TO236AB(1801352)
Напруга сток-джерело
60В(1441252)
Струм стока
1,3А(1492332)
Опір в стані провідності
246мОм(1801426)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711) logic level(1712724)
Заряд затвора
7,4нКл(1479204)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Струм стоку в імпульсі
8,3А(1801425)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори з каналом N SMD PMV120ENEAR
NEXPERIA
Артикул: 386928
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,3А; Idm: 8,3А; SOT23,TO236AB
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
27.81 грн
10+
20.82 грн
50+
15.58 грн
98+
10.27 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
NEXPERIA
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Корпус
TO236AB
Напруга сток-джерело
60В
Струм стока
1,3А
Опір в стані провідності
246мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Властивості напівпровідникових елементів
logic level
Заряд затвора
7,4нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
8,3А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g