0 0 0
  8. PMV130ENEAR

Транзистори з каналом N SMD PMV130ENEAR

 
PMV130ENEAR
 
NEXPERIA
Артикул: 386929
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 1,5А; Idm: 8А; SOT23,TO236AB
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
5+
12.87 грн
25+
11.13 грн
100+
10.01 грн
120+
8.33 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 1
Кількість: 366 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
NEXPERIA(1241)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262) TO236AB(1801352)
Напруга сток-джерело
40В(1441244)
Струм стока
1,5А(1492350)
Опір в стані провідності
233мОм(1801427)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711) logic level(1712724)
Заряд затвора
3,6нКл(1609779)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Струм стоку в імпульсі
8А(1709892)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,019 g
 
Транзистори з каналом N SMD PMV130ENEAR
NEXPERIA
Артикул: 386929
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 1,5А; Idm: 8А; SOT23,TO236AB
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
5+
12.87 грн
25+
11.13 грн
100+
10.01 грн
120+
8.33 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 1
Кількість: 366 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
NEXPERIA
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Корпус
TO236AB
Напруга сток-джерело
40В
Струм стока
1,5А
Опір в стані провідності
233мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Властивості напівпровідникових елементів
logic level
Заряд затвора
3,6нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
8А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,019 g