0 0 0
  8. PMV280ENEAR

Транзистори з каналом N SMD PMV280ENEAR

 
PMV280ENEAR
 
NEXPERIA
Артикул: 386933
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 800мА; Idm: 5А; SOT23,TO236AB
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
31.78 грн
10+
25.03 грн
25+
19.78 грн
50+
15.81 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 834 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
NEXPERIA(1241)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262) TO236AB(1801352)
Напруга сток-джерело
100В(1441364)
Струм стока
0,8А(1635013)
Опір в стані провідності
1078мОм(1801430)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711) logic level(1712724)
Заряд затвора
6,8нКл(1479391)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Струм стоку в імпульсі
5А(1790204)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,018 g
 
Транзистори з каналом N SMD PMV280ENEAR
NEXPERIA
Артикул: 386933
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 800мА; Idm: 5А; SOT23,TO236AB
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
31.78 грн
10+
25.03 грн
25+
19.78 грн
50+
15.81 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 834 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
NEXPERIA
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Корпус
TO236AB
Напруга сток-джерело
100В
Струм стока
0,8А
Опір в стані провідності
1078мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Властивості напівпровідникових елементів
logic level
Заряд затвора
6,8нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
5А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,018 g