0 0 0
  8. PMV55ENEAR

Транзистори з каналом N SMD PMV55ENEAR

 
PMV55ENEAR
 
NEXPERIA
Артикул: 478176
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2А; Idm: 12,6А; 8,36Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
28.68 грн
10+
20.39 грн
50+
15.45 грн
99+
10.18 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
NEXPERIA(1241)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262) TO236AB(1801352)
Напруга сток-джерело
60В(1441252)
Струм стока
2А(1441386)
Опір в стані провідності
0,12Ом(1492377)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
8,36Вт(1846336)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711) logic level(1712724)
Заряд затвора
19нКл(1479054)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
12,6А(1846335)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори з каналом N SMD PMV55ENEAR
NEXPERIA
Артикул: 478176
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2А; Idm: 12,6А; 8,36Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
28.68 грн
10+
20.39 грн
50+
15.45 грн
99+
10.18 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
NEXPERIA
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Корпус
TO236AB
Напруга сток-джерело
60В
Струм стока
2А
Опір в стані провідності
0,12Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
8,36Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Властивості напівпровідникових елементів
logic level
Заряд затвора
19нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
12,6А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g