0 0 0
  8. PMZ350UPEYL

Транзистори з каналом P SMD PMZ350UPEYL

 
PMZ350UPEYL
 
NEXPERIA
Артикул: 386992
Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -20В; -700мА; Idm: -2,8А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
5+
11.60 грн
25+
5.63 грн
100+
5.06 грн
246+
4.05 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 1
Кількість: 9835 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
NEXPERIA(1241)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DFN1006-3(1789163) SOT883(1801484)
Напруга сток-джерело
-20В(1478965)
Струм стока
-700мА(1479086)
Опір в стані провідності
645мОм(1801472)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
1,9нКл(1479079)
Технологія
Trench(1712977)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Струм стоку в імпульсі
-2,8А(1801471)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,01 g
 
Транзистори з каналом P SMD PMZ350UPEYL
NEXPERIA
Артикул: 386992
Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -20В; -700мА; Idm: -2,8А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
5+
11.60 грн
25+
5.63 грн
100+
5.06 грн
246+
4.05 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 1
Кількість: 9835 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
NEXPERIA
Монтаж
SMD
Корпус
DFN1006-3
Корпус
SOT883
Напруга сток-джерело
-20В
Струм стока
-700мА
Опір в стані провідності
645мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Заряд затвора
1,9нКл
Технологія
Trench
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
-2,8А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,01 g