0 0 0
  8. PSMN0R9-30ULDX

Транзистори з каналом N SMD PSMN0R9-30ULDX

 
PSMN0R9-30ULDX
 
NEXPERIA
Артикул: 778281
Транзистор: N-MOSFET; NextPowerS3; польовий; 30В; 284А; Idm: 1592А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
187.51 грн
5+
168.44 грн
8+
134.27 грн
21+
127.12 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
NEXPERIA(1241)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT1023A(1960177)
Напруга сток-джерело
30В(1441247)
Струм стока
284А(1801439)
Опір в стані провідності
1,8мОм(1479613)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
227Вт(1741842)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
logic level(1712724)
Заряд затвора
109нКл(1757721)
Технологія
NextPowerS3(1899360)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
1592А(1959937)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори з каналом N SMD PSMN0R9-30ULDX
NEXPERIA
Артикул: 778281
Транзистор: N-MOSFET; NextPowerS3; польовий; 30В; 284А; Idm: 1592А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
187.51 грн
5+
168.44 грн
8+
134.27 грн
21+
127.12 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
NEXPERIA
Монтаж
SMD
Корпус
SOT1023A
Напруга сток-джерело
30В
Струм стока
284А
Опір в стані провідності
1,8мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
227Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
logic level
Заряд затвора
109нКл
Технологія
NextPowerS3
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
1592А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g