0 0 0
  8. PSMN0R9-30YLDX

Транзистори з каналом N SMD PSMN0R9-30YLDX

 
PSMN0R9-30YLDX
 
NEXPERIA
Артикул: 386942
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 284А; Idm: 1,8кА; 291Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
215.07 грн
5+
194.36 грн
7+
156.13 грн
18+
148.16 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 1432 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
NEXPERIA(1241)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerSO8(1633659) SOT1023(1801478) LFPAK56E(1932066)
Напруга сток-джерело
30В(1441247)
Струм стока
284А(1801439)
Опір в стані провідності
1,44мОм(1801441)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
291Вт(1801440)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
logic level(1712724)
Заряд затвора
109нКл(1757721)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Струм стоку в імпульсі
1,8кА(1758564)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,147 g
 
Транзистори з каналом N SMD PSMN0R9-30YLDX
NEXPERIA
Артикул: 386942
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 284А; Idm: 1,8кА; 291Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
215.07 грн
5+
194.36 грн
7+
156.13 грн
18+
148.16 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 1432 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
NEXPERIA
Монтаж
SMD
Корпус
PowerSO8
Корпус
SOT1023
Корпус
LFPAK56E
Напруга сток-джерело
30В
Струм стока
284А
Опір в стані провідності
1,44мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
291Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
logic level
Заряд затвора
109нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
1,8кА
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,147 g