Транзистори з каналом N SMD PSMN1R0-30YLC,115

 
PSMN1R0-30YLC,115
 
Артикул: 289697
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 100А; 272Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
144.18 грн
5+
129.84 грн
10+
103.55 грн
27+
97.98 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 1222 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Виробник
NEXPERIA(1241)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerSO8(1633659) SOT669(1492393) LFPAK56(1801477)
Напруга сток-джерело
30В(1441247)
Струм стока
100А(1479496)
Опір в стані провідності
1,15мОм(1609982)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
272Вт(1742097)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
logic level(1712724)
Заряд затвора
70нКл(1479303)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,13 g
 
Транзистори з каналом N SMD PSMN1R0-30YLC,115
NEXPERIA
Артикул: 289697
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 100А; 272Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
144.18 грн
5+
129.84 грн
10+
103.55 грн
27+
97.98 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 1222 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
NEXPERIA
Монтаж
SMD
Корпус
PowerSO8
Корпус
SOT669
Корпус
LFPAK56
Напруга сток-джерело
30В
Струм стока
100А
Опір в стані провідності
1,15мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
272Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
logic level
Заряд затвора
70нКл
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,13 g