0 0 0
  8. PSMN1R0-40YLDX

Транзистори з каналом N SMD PSMN1R0-40YLDX

 
PSMN1R0-40YLDX
 
NEXPERIA
Артикул: 386943
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 198А; Idm: 1284А; 198Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
194.36 грн
5+
176.84 грн
8+
140.20 грн
20+
133.03 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
NEXPERIA(1241)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerSO8(1633659) SOT1023(1801478) LFPAK56E(1932066)
Напруга сток-джерело
40В(1441244)
Струм стока
198А(1492577)
Опір в стані провідності
1,93мОм(1714481)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
198Вт(1741793)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
logic level(1712724)
Заряд затвора
127нКл(1745632)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Струм стоку в імпульсі
1284А(1801442)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,01 g
 
Транзистори з каналом N SMD PSMN1R0-40YLDX
NEXPERIA
Артикул: 386943
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 198А; Idm: 1284А; 198Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
194.36 грн
5+
176.84 грн
8+
140.20 грн
20+
133.03 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
NEXPERIA
Монтаж
SMD
Корпус
PowerSO8
Корпус
SOT1023
Корпус
LFPAK56E
Напруга сток-джерело
40В
Струм стока
198А
Опір в стані провідності
1,93мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
198Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
logic level
Заряд затвора
127нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
1284А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,01 g