0 0 0
  8. PSMN1R2-30YLDX

Транзистори з каналом N SMD PSMN1R2-30YLDX

 
PSMN1R2-30YLDX
 
NEXPERIA
Артикул: 386944
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 209А; Idm: 1181А; 194Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
107.85 грн
5+
97.47 грн
13+
77.49 грн
36+
73.50 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
NEXPERIA(1241)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerSO8(1633659) SOT1023(1801478) LFPAK56E(1932066)
Напруга сток-джерело
30В(1441247)
Струм стока
209А(1479572)
Опір в стані провідності
2,05мОм(1801445)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
194Вт(1801444)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
logic level(1712724)
Заряд затвора
68нКл(1479515)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Струм стоку в імпульсі
1181А(1801443)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори з каналом N SMD PSMN1R2-30YLDX
NEXPERIA
Артикул: 386944
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 209А; Idm: 1181А; 194Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
107.85 грн
5+
97.47 грн
13+
77.49 грн
36+
73.50 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
NEXPERIA
Монтаж
SMD
Корпус
PowerSO8
Корпус
SOT1023
Корпус
LFPAK56E
Напруга сток-джерело
30В
Струм стока
209А
Опір в стані провідності
2,05мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
194Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
logic level
Заряд затвора
68нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
1181А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g