Транзистори з каналом N SMD PSMN1R4-30YLDX

 
PSMN1R4-30YLDX
 
Артикул: 600523
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 100А; Idm: 1019А; 166Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
87.85 грн
5+
79.87 грн
16+
63.01 грн
44+
59.58 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Виробник
NEXPERIA(1241)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerSO8(1633659) SOT669(1492393) LFPAK56(1801477)
Напруга сток-джерело
30В(1441247)
Струм стока
100А(1479496)
Опір в стані провідності
1,44мОм(1801441)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
166Вт(1740800)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
54,8нКл(1933320)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
1019А(1933319)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори з каналом N SMD PSMN1R4-30YLDX
NEXPERIA
Артикул: 600523
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 100А; Idm: 1019А; 166Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
87.85 грн
5+
79.87 грн
16+
63.01 грн
44+
59.58 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
NEXPERIA
Монтаж
SMD
Корпус
PowerSO8
Корпус
SOT669
Корпус
LFPAK56
Напруга сток-джерело
30В
Струм стока
100А
Опір в стані провідності
1,44мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
166Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
54,8нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
1019А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g