0 0 0
  8. PSMN1R5-40YSDX

Транзистори з каналом N SMD PSMN1R5-40YSDX

 
PSMN1R5-40YSDX
 
NEXPERIA
Артикул: 778352
Транзистор: N-MOSFET; NextPowerS3; польовий; 40В; 202А; Idm: 1145А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
163.30 грн
5+
147.36 грн
9+
117.89 грн
24+
111.52 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
NEXPERIA(1241)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerSO8(1633659) SOT669(1492393) LFPAK56(1801477)
Напруга сток-джерело
40В(1441244)
Струм стока
202А(1492232)
Опір в стані провідності
2,9мОм(1599143)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
238Вт(1742101)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
99нКл(1479393)
Технологія
NextPowerS3(1899360)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
1145А(1959960)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори з каналом N SMD PSMN1R5-40YSDX
NEXPERIA
Артикул: 778352
Транзистор: N-MOSFET; NextPowerS3; польовий; 40В; 202А; Idm: 1145А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
163.30 грн
5+
147.36 грн
9+
117.89 грн
24+
111.52 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
NEXPERIA
Монтаж
SMD
Корпус
PowerSO8
Корпус
SOT669
Корпус
LFPAK56
Напруга сток-джерело
40В
Струм стока
202А
Опір в стані провідності
2,9мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
238Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
99нКл
Технологія
NextPowerS3
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
1145А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g