0 0 0
  8. PSMN1R8-80SSFJ

Транзистори з каналом N SMD PSMN1R8-80SSFJ

 
PSMN1R8-80SSFJ
 
NEXPERIA
Артикул: 778437
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 205А; Idm: 1158А; 341Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
517.24 грн
3+
375.02 грн
8+
354.36 грн
500+
344.03 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
NEXPERIA(1241)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
LFPAK88(1939964) SOT1235(1939965)
Напруга сток-джерело
80В(1441260)
Струм стока
205А(1959956)
Опір в стані провідності
4,1мОм(1479546)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
341Вт(1741911)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
222нКл(1737455)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
1158А(1959991)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори з каналом N SMD PSMN1R8-80SSFJ
NEXPERIA
Артикул: 778437
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 205А; Idm: 1158А; 341Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
517.24 грн
3+
375.02 грн
8+
354.36 грн
500+
344.03 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
NEXPERIA
Монтаж
SMD
Корпус
LFPAK88
Корпус
SOT1235
Напруга сток-джерело
80В
Струм стока
205А
Опір в стані провідності
4,1мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
341Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
222нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
1158А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g