0 0 0
  8. PSMN1R9-80SSEJ

Транзисторы с каналом N SMD PSMN1R9-80SSEJ

 
PSMN1R9-80SSEJ
 
NEXPERIA
Артикул: 778486
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 202А; Idm: 1142А; 340Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
440.73 грн
3+
426.56 грн
5+
397.44 грн
25+
388.00 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
NEXPERIA(1241)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
LFPAK88(1939964) SOT1235(1939965)
Напруга сток-джерело
80В(1441260)
Струм стока
202А(1492232)
Опір в стані провідності
4,2мОм(1479514)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
340Вт(1741907)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
232нКл(1823211)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
1142А(1959992)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD PSMN1R9-80SSEJ
NEXPERIA
Артикул: 778486
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 202А; Idm: 1142А; 340Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
440.73 грн
3+
426.56 грн
5+
397.44 грн
25+
388.00 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
NEXPERIA
Монтаж
SMD
Корпус
LFPAK88
Корпус
SOT1235
Напруга сток-джерело
80В
Струм стока
202А
Опір в стані провідності
4,2мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
340Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
232нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
1142А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g