0 0 0
  8. PSMN2R0-100SSFJ

Транзисторы с каналом N SMD PSMN2R0-100SSFJ

 
PSMN2R0-100SSFJ
 
NEXPERIA
Артикул: 778583
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 189А; Idm: 1070А; 341Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
514.71 грн
3+
371.47 грн
8+
351.01 грн
500+
343.14 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
NEXPERIA(1241)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
LFPAK88(1939964) SOT1235(1939965)
Напруга сток-джерело
100В(1441364)
Струм стока
189А(1826077)
Опір в стані провідності
4,8мОм(1479248)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
341Вт(1741911)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
242нКл(1926638)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
1070А(1959993)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD PSMN2R0-100SSFJ
NEXPERIA
Артикул: 778583
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 189А; Idm: 1070А; 341Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
514.71 грн
3+
371.47 грн
8+
351.01 грн
500+
343.14 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
NEXPERIA
Монтаж
SMD
Корпус
LFPAK88
Корпус
SOT1235
Напруга сток-джерело
100В
Струм стока
189А
Опір в стані провідності
4,8мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
341Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
242нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
1070А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g