0 0 0
  8. PSMN2R4-30MLDX

Транзистори з каналом N SMD PSMN2R4-30MLDX

 
PSMN2R4-30MLDX
 
NEXPERIA
Артикул: 546553
Транзистор: N-MOSFET; NextPowerS3; польовий; 30В; 70А; Idm: 580А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
52.45 грн
5+
48.48 грн
25+
42.91 грн
28+
37.35 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
NEXPERIA(1241)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
LFPAK33(1633650) SOT1210(1801476)
Напруга сток-джерело
30В(1441247)
Струм стока
70А(1441315)
Опір в стані провідності
5,3мОм(1479527)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
91Вт(1740754)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
logic level(1712724)
Заряд затвора
51нКл(1610021)
Технологія
NextPowerS3(1899360)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
580А(1826029)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори з каналом N SMD PSMN2R4-30MLDX
NEXPERIA
Артикул: 546553
Транзистор: N-MOSFET; NextPowerS3; польовий; 30В; 70А; Idm: 580А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
52.45 грн
5+
48.48 грн
25+
42.91 грн
28+
37.35 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
NEXPERIA
Монтаж
SMD
Корпус
LFPAK33
Корпус
SOT1210
Напруга сток-джерело
30В
Струм стока
70А
Опір в стані провідності
5,3мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
91Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
logic level
Заряд затвора
51нКл
Технологія
NextPowerS3
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
580А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g