Транзистори з каналом N SMD PSMN4R0-60YS,115

 
PSMN4R0-60YS,115
 
Артикул: 600507
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 100А; Idm: 418А; 130Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
100.66 грн
5+
91.07 грн
14+
73.50 грн
38+
69.50 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Виробник
NEXPERIA(1241)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerSO8(1633659) SOT669(1492393) LFPAK56(1801477)
Напруга сток-джерело
60В(1441252)
Струм стока
100А(1479496)
Опір в стані провідності
3,6мОм(1479264)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
130Вт(1701963)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
56нКл(1479440)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
418А(1838856)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори з каналом N SMD PSMN4R0-60YS,115
NEXPERIA
Артикул: 600507
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 100А; Idm: 418А; 130Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
100.66 грн
5+
91.07 грн
14+
73.50 грн
38+
69.50 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
NEXPERIA
Монтаж
SMD
Корпус
PowerSO8
Корпус
SOT669
Корпус
LFPAK56
Напруга сток-джерело
60В
Струм стока
100А
Опір в стані провідності
3,6мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
130Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
56нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
418А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g