0 0 0
  8. PSMN7R0-100BS,118

Транзистори з каналом N SMD PSMN7R0-100BS,118

 
PSMN7R0-100BS,118
 
NEXPERIA
Артикул: 600617
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 100А; Idm: 475А; 269Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
191.18 грн
5+
172.85 грн
8+
137.17 грн
20+
129.76 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
NEXPERIA(1241)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498) SOT404(1801479)
Напруга сток-джерело
100В(1441364)
Струм стока
100А(1479496)
Опір в стані провідності
15мОм(1479025)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
269Вт(1933281)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
125нКл(1712710)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
475А(1933280)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори з каналом N SMD PSMN7R0-100BS,118
NEXPERIA
Артикул: 600617
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 100А; Idm: 475А; 269Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
191.18 грн
5+
172.85 грн
8+
137.17 грн
20+
129.76 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
NEXPERIA
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Корпус
SOT404
Напруга сток-джерело
100В
Струм стока
100А
Опір в стані провідності
15мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
269Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
125нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
475А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g