0 0 0
  8. PSMN8R0-80YLX

Транзистори з каналом N SMD PSMN8R0-80YLX

 
PSMN8R0-80YLX
 
NEXPERIA
Артикул: 778416
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 80В; 75А; Idm: 423А; 238Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
128.27 грн
5+
116.32 грн
11+
91.62 грн
30+
86.84 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
NEXPERIA(1241)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerSO8(1633659) SOT669(1492393) LFPAK56(1801477)
Напруга сток-джерело
80В(1441260)
Струм стока
75А(1441317)
Опір в стані провідності
21,3мОм(1936762)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
238Вт(1742101)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
104нКл(1744095)
Технологія
Trench(1712977)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
423А(1936852)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори з каналом N SMD PSMN8R0-80YLX
NEXPERIA
Артикул: 778416
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 80В; 75А; Idm: 423А; 238Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
128.27 грн
5+
116.32 грн
11+
91.62 грн
30+
86.84 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
NEXPERIA
Монтаж
SMD
Корпус
PowerSO8
Корпус
SOT669
Корпус
LFPAK56
Напруга сток-джерело
80В
Струм стока
75А
Опір в стані провідності
21,3мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
238Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
104нКл
Технологія
Trench
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
423А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g