0 0 0
  8. PSMN8R5-100PSQ

Транзистори з каналом N THT PSMN8R5-100PSQ

 
PSMN8R5-100PSQ
 
NEXPERIA
Артикул: 606152
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 100А; Idm: 429А; 263Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
200.80 грн
3+
180.88 грн
7+
147.42 грн
19+
139.45 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
NEXPERIA(1241)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220AB(1440140) SOT78(1801481)
Напруга сток-джерело
100В(1441364)
Струм стока
100А(1479496)
Опір в стані провідності
6,4мОм(1693692)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
263Вт(1742106)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
111нКл(1733907)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
429А(1933372)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори з каналом N THT PSMN8R5-100PSQ
NEXPERIA
Артикул: 606152
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 100А; Idm: 429А; 263Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
200.80 грн
3+
180.88 грн
7+
147.42 грн
19+
139.45 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
NEXPERIA
Монтаж
THT
Корпус
TO220AB
Корпус
SOT78
Напруга сток-джерело
100В
Струм стока
100А
Опір в стані провідності
6,4мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
263Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
111нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
429А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g