0 0 0
  8. NTE2373

Транзистори з каналом P THT NTE2373

 
NTE2373
 
NTE Electronics
Артикул: 141202
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -6,8А; Idm: -44А; 125Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
645.44 грн
3+
464.56 грн
6+
439.06 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 2 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
NTE Electronics(1382)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220(1437014)
Напруга сток-джерело
-200В(1441458)
Струм стока
-6,8А(1479039)
Опір в стані провідності
0,5Ом(1492338)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
125Вт(1701920)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
-44А(1789193)
Додаткова інформація: Маса брутто: 4,4 g
 
Транзистори з каналом P THT NTE2373
NTE Electronics
Артикул: 141202
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -6,8А; Idm: -44А; 125Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
645.44 грн
3+
464.56 грн
6+
439.06 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 2 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
NTE Electronics
Монтаж
THT
Корпус
TO220
Напруга сток-джерело
-200В
Струм стока
-6,8А
Опір в стані провідності
0,5Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
125Вт
Поляризація
польовий
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
-44А
Додаткова інформація: Маса брутто: 4,4 g