Транзистори з каналом N THT NTE2399

 
NTE2399
 
Артикул: 079789
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 2А; Idm: 12А; 125Вт; TO220
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
739.82 грн
2+
513.59 грн
6+
485.81 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Виробник
NTE Electronics(1382)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220(1437014)
Напруга сток-джерело
1кВ(1441405)
Струм стока
(1441386)
Опір в стані провідності
5Ом(1441408)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
125Вт(1701920)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
12А(1741665)
Додаткова інформація: Маса брутто: 4,735 g
 
Транзистори з каналом N THT NTE2399
NTE Electronics
Артикул: 079789
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 2А; Idm: 12А; 125Вт; TO220
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
739.82 грн
2+
513.59 грн
6+
485.81 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
NTE Electronics
Монтаж
THT
Корпус
TO220
Напруга сток-джерело
1кВ
Струм стока
Опір в стані провідності
5Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
125Вт
Поляризація
польовий
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
12А
Додаткова інформація: Маса брутто: 4,735 g