0 0 0
  8. NTE2919

Транзистори з каналом P THT NTE2919

 
NTE2919
 
NTE Electronics
Артикул: 141208
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -20А; Idm: -80А; 25Вт; TO220F
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
508.50 грн
3+
382.17 грн
8+
361.51 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 13 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
NTE Electronics(1382)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220F(1440211)
Напруга сток-джерело
-60В(1492224)
Струм стока
-20А(1492322)
Опір в стані провідності
92мОм(1610015)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
25Вт(1507409)
Поляризація
польовий(1441242)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
-80А(1789209)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,87 g
 
Транзистори з каналом P THT NTE2919
NTE Electronics
Артикул: 141208
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -20А; Idm: -80А; 25Вт; TO220F
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
508.50 грн
3+
382.17 грн
8+
361.51 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 13 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
NTE Electronics
Монтаж
THT
Корпус
TO220F
Напруга сток-джерело
-60В
Струм стока
-20А
Опір в стані провідності
92мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
25Вт
Поляризація
польовий
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
-80А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,87 g