0 0 0
  8. NTE2997

Транзисторы с каналом P THT NTE2997

 
NTE2997
 
NTE Electronics
Артикул: 141212
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -160В; -7А; 100Вт; TO3PN
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 230.11 грн
3+
1 163.21 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
NTE Electronics(1382)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO3PN(1441460)
Напруга сток-джерело
-160В(1588755)
Струм стока
-7А(1492276)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
100Вт(1701916)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 10 g
 
Транзисторы с каналом P THT NTE2997
NTE Electronics
Артикул: 141212
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -160В; -7А; 100Вт; TO3PN
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 230.11 грн
3+
1 163.21 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
NTE Electronics
Монтаж
THT
Корпус
TO3PN
Напруга сток-джерело
-160В
Струм стока
-7А
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
100Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 10 g