Транзистори з каналом P THT NTE2998

 
NTE2998
 
Артикул: 141213
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -8А; 125Вт; TO3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 758.58 грн
2+
1 662.08 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Виробник
NTE Electronics(1382)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO3(1440918)
Напруга сток-джерело
-200В(1441458)
Струм стока
-8А(1479035)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
125Вт(1701920)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 5 g
 
Транзистори з каналом P THT NTE2998
NTE Electronics
Артикул: 141213
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -8А; 125Вт; TO3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 758.58 грн
2+
1 662.08 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
NTE Electronics
Монтаж
THT
Корпус
TO3
Напруга сток-джерело
-200В
Струм стока
-8А
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
125Вт
Поляризація
польовий
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 5 g