Транзистори багатоканальні 2N7002DW

 
2N7002DW
 
Артикул: 564706
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,115А; Idm: 0,8А; 0,2Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
5+
11.28 грн
25+
10.17 грн
100+
8.90 грн
120+
8.42 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 5
Кількість: 5910 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT363(1492061) SC70-6(1491172) SC88(1492436)
Напруга сток-джерело
60В(1441252)
Струм стока
0,115А(1548888)
Опір в стані провідності
2Ом(1441392)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Потужність розсіювання
0,2Вт(1507579)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Технологія
PowerTrench®(1632936)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
0,8А(1741653)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,022 g
 
Транзистори багатоканальні 2N7002DW
ONSEMI
Артикул: 564706
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,115А; Idm: 0,8А; 0,2Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
5+
11.28 грн
25+
10.17 грн
100+
8.90 грн
120+
8.42 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 5
Кількість: 5910 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SOT363
Корпус
SC70-6
Корпус
SC88
Напруга сток-джерело
60В
Струм стока
0,115А
Опір в стані провідності
2Ом
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Потужність розсіювання
0,2Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Технологія
PowerTrench®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
0,8А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,022 g