0 0 0
  8. BS170

Транзистори з каналом N THT BS170

 
BS170
 
ONSEMI
Артикул: 318518
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 500мА; Idm: 1,2А; 0,83Вт; TO92
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
10+
10.29 грн
30+
9.33 грн
100+
8.29 грн
140+
7.34 грн
Мін. замовлення: 10
Кратність: 10
Кількість: 2676 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO92(1440599)
Напруга сток-джерело
60В(1441252)
Струм стока
0,5А(1643334)
Опір в стані провідності
5Ом(1441408)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
0,83Вт(1742124)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
розсипний(1437815)
Технологія
DMOS(1605573)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
1,2А(1709882)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,202 g
 
Транзистори з каналом N THT BS170
ONSEMI
Артикул: 318518
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 500мА; Idm: 1,2А; 0,83Вт; TO92
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
10+
10.29 грн
30+
9.33 грн
100+
8.29 грн
140+
7.34 грн
Мін. замовлення: 10
Кратність: 10
Кількість: 2676 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO92
Напруга сток-джерело
60В
Струм стока
0,5А
Опір в стані провідності
5Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
0,83Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
розсипний
Технологія
DMOS
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
1,2А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,202 g