Транзистори з каналом N SMD BSS123LT1G

 
BSS123LT1G
 
Артикул: 075745
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,17А; 0,225Вт; SOT23
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
20+
4.45 грн
100+
4.01 грн
320+
3.21 грн
870+
3.03 грн
Мін. замовлення: 20
Кратність: 5
Кількість: 41289 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напруга сток-джерело
100В(1441364)
Струм стока
0,17А(1644068)
Опір в стані провідності
6Ом(1441534)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
0,225Вт(1707091)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,016 g
 
Транзистори з каналом N SMD BSS123LT1G
ONSEMI
Артикул: 075745
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,17А; 0,225Вт; SOT23
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
20+
4.45 грн
100+
4.01 грн
320+
3.21 грн
870+
3.03 грн
Мін. замовлення: 20
Кратність: 5
Кількість: 41289 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напруга сток-джерело
100В
Струм стока
0,17А
Опір в стані провідності
6Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
0,225Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,016 g