0 0 0
  8. BVSS123LT1G

Транзистори з каналом N SMD BVSS123LT1G

 
BVSS123LT1G
 
ONSEMI
Артикул: 389923
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,17А; 0,225Вт; SOT23
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
5+
15.78 грн
25+
8.45 грн
100+
7.49 грн
155+
6.46 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 5
Кількість: 3895 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напруга сток-джерело
100В(1441364)
Струм стока
0,17А(1644068)
Опір в стані провідності
6Ом(1441534)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
0,225Вт(1707091)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,024 g
 
Транзистори з каналом N SMD BVSS123LT1G
ONSEMI
Артикул: 389923
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,17А; 0,225Вт; SOT23
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
5+
15.78 грн
25+
8.45 грн
100+
7.49 грн
155+
6.46 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 5
Кількість: 3895 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напруга сток-джерело
100В
Струм стока
0,17А
Опір в стані провідності
6Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
0,225Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,024 g