0 0 0
  7. BYW51-200G

Універсальні діоди THT BYW51-200G

 
BYW51-200G
 
ONSEMI
Артикул: 1056770
Діод: перемикальний; THT; 200В; 8Аx2; туба; Ifsm: 100А; TO220AB
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
125.21 грн
3+
97.30 грн
10+
86.93 грн
14+
74.17 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 736 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220AB(1440140)
Зворотна напруга макс.
200В(1439532)
Струм провідності макс.
16А(1440156)
Струм провідності
8А x2(1948660)
Структура напівпровідника
подвійний(1600771) спільний катод(1497057)
Струм в імпульсі макс.
100А(1440667)
Вид упаковки
туба(1443467)
Тип діода
перемикальний(1440247)
Властивості напівпровідникових елементів
ultrafast switching(1497038)
Товщина радіатора
1,15...1,39мм(1497084)
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g
 
Універсальні діоди THT BYW51-200G
ONSEMI
Артикул: 1056770
Діод: перемикальний; THT; 200В; 8Аx2; туба; Ifsm: 100А; TO220AB
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
125.21 грн
3+
97.30 грн
10+
86.93 грн
14+
74.17 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 736 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO220AB
Зворотна напруга макс.
200В
Струм провідності макс.
16А
Струм провідності
8А x2
Структура напівпровідника
подвійний
Структура напівпровідника
спільний катод
Струм в імпульсі макс.
100А
Вид упаковки
туба
Тип діода
перемикальний
Властивості напівпровідникових елементів
ultrafast switching
Товщина радіатора
1,15...1,39мм
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g