0 0 0
  7. ECH8657-TL-H

Транзистори багатоканальні ECH8657-TL-H

 
ECH8657-TL-H
 
ONSEMI
Артикул: 478189
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 35В; 4,5А; Idm: 30А; 1,5Вт; ECH8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
31.66 грн
25+
29.99 грн
45+
21.93 грн
123+
20.74 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
ECH8(1805279)
Напруга сток-джерело
35В(1441238)
Струм стока
4,5А(1441265)
Опір в стані провідності
59мОм(1479368)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Потужність розсіювання
1,5Вт(1487290)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
4,6нКл(1609769)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
30А(1741680)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори багатоканальні ECH8657-TL-H
ONSEMI
Артикул: 478189
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 35В; 4,5А; Idm: 30А; 1,5Вт; ECH8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
31.66 грн
25+
29.99 грн
45+
21.93 грн
123+
20.74 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
ECH8
Напруга сток-джерело
35В
Струм стока
4,5А
Опір в стані провідності
59мОм
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Потужність розсіювання
1,5Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Заряд затвора
4,6нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
30А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g