0 0 0
  7. ECH8690-TL-H

Транзистори багатоканальні ECH8690-TL-H

 
ECH8690-TL-H
 
ONSEMI
Артикул: 965176
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В; 1,5Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
105.67 грн
10+
81.04 грн
16+
63.56 грн
43+
60.39 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
ECH8(1805279)
Напруга сток-джерело
60/-60В(1596127)
Струм стока
4,7/-3,5А(1596084)
Опір в стані провідності
55/94мОм(1805205)
Тип транзистора
N/P-MOSFET(1441267)
Потужність розсіювання
1,5Вт(1487290)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Вид транзистора
комплементарні(1492083)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори багатоканальні ECH8690-TL-H
ONSEMI
Артикул: 965176
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В; 1,5Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
105.67 грн
10+
81.04 грн
16+
63.56 грн
43+
60.39 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
ECH8
Напруга сток-джерело
60/-60В
Струм стока
4,7/-3,5А
Опір в стані провідності
55/94мОм
Тип транзистора
N/P-MOSFET
Потужність розсіювання
1,5Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Вид транзистора
комплементарні
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g