0 0 0
  7. ECH8695R-TL-W

Транзистори багатоканальні ECH8695R-TL-W

 
ECH8695R-TL-W
 
ONSEMI
Артикул: 478190
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 24В; 11А; Idm: 60А; 1,4Вт; ECH8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
42.27 грн
25+
36.45 грн
36+
27.43 грн
98+
26.00 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Кількість: 2216 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
ECH8(1805279)
Структура напівпровідника
загальний дренаж(1609794)
Напруга сток-джерело
24В(1479606)
Струм стока
11А(1479209)
Опір в стані провідності
9,1мОм(1479222)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Використання
контроль заряду акумулятора(1528580)
Потужність розсіювання
1,4Вт(1449373)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
10нКл(1479106)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
60А(1741654)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,032 g
 
Транзистори багатоканальні ECH8695R-TL-W
ONSEMI
Артикул: 478190
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 24В; 11А; Idm: 60А; 1,4Вт; ECH8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
42.27 грн
25+
36.45 грн
36+
27.43 грн
98+
26.00 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Кількість: 2216 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
ECH8
Структура напівпровідника
загальний дренаж
Напруга сток-джерело
24В
Струм стока
11А
Опір в стані провідності
9,1мОм
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Використання
контроль заряду акумулятора
Потужність розсіювання
1,4Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Заряд затвора
10нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
60А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,032 g