0 0 0
  8. FCH067N65S3-F155

Транзисторы с каналом N THT FCH067N65S3-F155

 
FCH067N65S3-F155
 
ONSEMI
Артикул: 542332
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 28А; Idm: 110А; 312Вт; TO247
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
558.78 грн
3+
351.01 грн
8+
331.33 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247(1440138)
Напруга сток-джерело
650В(1492415)
Струм стока
28А(1441500)
Опір в стані провідності
59мОм(1479368)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
312Вт(1741830)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
78нКл(1609951)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
110А(1758590)
Додаткова інформація: Маса брутто: 3 g
 
Транзисторы с каналом N THT FCH067N65S3-F155
ONSEMI
Артикул: 542332
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 28А; Idm: 110А; 312Вт; TO247
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
558.78 грн
3+
351.01 грн
8+
331.33 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO247
Напруга сток-джерело
650В
Струм стока
28А
Опір в стані провідності
59мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
312Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
78нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
110А
Додаткова інформація: Маса брутто: 3 g