0 0 0
  8. FCH165N65S3R0-F155

Транзисторы с каналом N THT FCH165N65S3R0-F155

 
FCH165N65S3R0-F155
 
ONSEMI
Артикул: 542348
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 12,3А; Idm: 47,5А; 154Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
254.25 грн
5+
228.82 грн
6+
187.51 грн
15+
177.18 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247(1440138)
Напруга сток-джерело
650В(1492415)
Струм стока
12,3А(1628416)
Опір в стані провідності
0,14Ом(1702961)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
154Вт(1741976)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
39нКл(1479127)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
47,5А(1905979)
Додаткова інформація: Маса брутто: 3 g
 
Транзисторы с каналом N THT FCH165N65S3R0-F155
ONSEMI
Артикул: 542348
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 12,3А; Idm: 47,5А; 154Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
254.25 грн
5+
228.82 грн
6+
187.51 грн
15+
177.18 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO247
Напруга сток-джерело
650В
Струм стока
12,3А
Опір в стані провідності
0,14Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
154Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
39нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
47,5А
Додаткова інформація: Маса брутто: 3 g