0 0 0
  8. FCP067N65S3

Транзистори з каналом N THT FCP067N65S3

 
FCP067N65S3
 
ONSEMI
Артикул: 524814
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 28А; Idm: 110А; 312Вт; TO220AB
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
502.45 грн
3+
365.27 грн
8+
345.34 грн
250+
334.97 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220AB(1440140)
Напруга сток-джерело
650В(1492415)
Струм стока
28А(1441500)
Опір в стані провідності
67мОм(1600697)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
312Вт(1741830)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
78нКл(1609951)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
110А(1758590)
Додаткова інформація: Маса брутто: 2,06 g
 
Транзистори з каналом N THT FCP067N65S3
ONSEMI
Артикул: 524814
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 28А; Idm: 110А; 312Вт; TO220AB
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
502.45 грн
3+
365.27 грн
8+
345.34 грн
250+
334.97 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO220AB
Напруга сток-джерело
650В
Струм стока
28А
Опір в стані провідності
67мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
312Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
78нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
110А
Додаткова інформація: Маса брутто: 2,06 g