0 0 0
  8. FCP104N60

Транзистори з каналом N THT FCP104N60

 
FCP104N60
 
ONSEMI
Артикул: 524815
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 24А; Idm: 111А; 357Вт; TO220AB
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
305.08 грн
3+
274.02 грн
5+
219.05 грн
13+
207.11 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220AB(1440140)
Напруга сток-джерело
600В(1441385)
Струм стока
24А(1441564)
Опір в стані провідності
0,104Ом(1758472)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
357Вт(1740831)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
82нКл(1479300)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
111А(1887972)
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g
 
Транзистори з каналом N THT FCP104N60
ONSEMI
Артикул: 524815
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 24А; Idm: 111А; 357Вт; TO220AB
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
305.08 грн
3+
274.02 грн
5+
219.05 грн
13+
207.11 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO220AB
Напруга сток-джерело
600В
Струм стока
24А
Опір в стані провідності
0,104Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
357Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
82нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
111А
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g