Транзистори з каналом N THT FCP11N60

 
FCP11N60
 
Артикул: 078110
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 11А; 125Вт; TO220AB
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
201.01 грн
3+
178.77 грн
7+
154.14 грн
18+
146.19 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 143 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220AB(1440140)
Напруга сток-джерело
650В(1492415)
Струм стока
11А(1479209)
Опір в стані провідності
0,38Ом(1638675)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
125Вт(1701920)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
52нКл(1479036)
Технологія
SuperFET®(1632634)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,968 g
 
Транзистори з каналом N THT FCP11N60
ONSEMI
Артикул: 078110
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 11А; 125Вт; TO220AB
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
201.01 грн
3+
178.77 грн
7+
154.14 грн
18+
146.19 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 143 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO220AB
Напруга сток-джерело
650В
Струм стока
11А
Опір в стані провідності
0,38Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
125Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
52нКл
Технологія
SuperFET®
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,968 g