0 0 0
  8. FCPF11N60T

Транзисторы с каналом N THT FCPF11N60T

 
FCPF11N60T
 
ONSEMI
Артикул: 532719
Транзистор: N-MOSFET; SJ-MOSFET; польовий; 650В; 7А; Idm: 33А; 36Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
254.25 грн
3+
228.82 грн
6+
175.59 грн
16+
166.06 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220FP(1440905)
Напруга сток-джерело
650В(1492415)
Струм стока
7А(1441285)
Опір в стані провідності
0,38Ом(1638675)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
36Вт(1607952)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
52нКл(1479036)
Технологія
SJ-MOSFET(1714492)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
33А(1810524)
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g
 
Транзисторы с каналом N THT FCPF11N60T
ONSEMI
Артикул: 532719
Транзистор: N-MOSFET; SJ-MOSFET; польовий; 650В; 7А; Idm: 33А; 36Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
254.25 грн
3+
228.82 грн
6+
175.59 грн
16+
166.06 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO220FP
Напруга сток-джерело
650В
Струм стока
7А
Опір в стані провідності
0,38Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
36Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
52нКл
Технологія
SJ-MOSFET
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
33А
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g