0 0 0
  8. FCPF16N60

Транзистори з каналом N THT FCPF16N60

 
FCPF16N60
 
ONSEMI
Артикул: 532720
Транзистор: N-MOSFET; SJ-MOSFET; польовий; 600В; 10,1А; Idm: 48А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
169.67 грн
3+
152.14 грн
9+
117.09 грн
24+
110.72 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220FP(1440905)
Напруга сток-джерело
600В(1441385)
Струм стока
10,1А(1602419)
Опір в стані провідності
0,26Ом(1596288)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
37,9Вт(1742030)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
70нКл(1479303)
Технологія
SJ-MOSFET(1714492)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
48А(1741686)
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g
 
Транзистори з каналом N THT FCPF16N60
ONSEMI
Артикул: 532720
Транзистор: N-MOSFET; SJ-MOSFET; польовий; 600В; 10,1А; Idm: 48А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
169.67 грн
3+
152.14 грн
9+
117.09 грн
24+
110.72 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO220FP
Напруга сток-джерело
600В
Струм стока
10,1А
Опір в стані провідності
0,26Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
37,9Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
70нКл
Технологія
SJ-MOSFET
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
48А
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g