0 0 0
  8. FDA28N50

Транзистори з каналом N THT FDA28N50

 
FDA28N50
 
ONSEMI
Артикул: 532723
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 17А; Idm: 112А; 310Вт; TO3PN
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
336.98 грн
5+
216.46 грн
13+
204.57 грн
450+
197.43 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO3PN(1441460)
Напруга сток-джерело
500В(1441382)
Струм стока
17А(1441577)
Опір в стані провідності
155мОм(1692646)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
310Вт(1741906)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
105нКл(1633312)
Технологія
UniFET™(1632958) DMOS(1605573)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
112А(1812410)
Додаткова інформація: Маса брутто: 5 g
 
Транзистори з каналом N THT FDA28N50
ONSEMI
Артикул: 532723
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 17А; Idm: 112А; 310Вт; TO3PN
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
336.98 грн
5+
216.46 грн
13+
204.57 грн
450+
197.43 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO3PN
Напруга сток-джерело
500В
Струм стока
17А
Опір в стані провідності
155мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
310Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
105нКл
Технологія
UniFET™
Технологія
DMOS
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
112А
Додаткова інформація: Маса брутто: 5 g