0 0 0
  8. FDA59N30

Транзистори з каналом N THT FDA59N30

 
FDA59N30
 
ONSEMI
Артикул: 479614
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 35А; Idm: 236А; 500Вт; TO3PN
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
297.91 грн
5+
208.70 грн
14+
197.55 грн
30+
191.97 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 28 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO3PN(1441460)
Напруга сток-джерело
300В(1441556)
Струм стока
35А(1441492)
Опір в стані провідності
56мОм(1479311)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
500Вт(1701905)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
0,1мкКл(1950532)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
236А(1851135)
Додаткова інформація: Маса брутто: 5,2 g
 
Транзистори з каналом N THT FDA59N30
ONSEMI
Артикул: 479614
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 35А; Idm: 236А; 500Вт; TO3PN
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
297.91 грн
5+
208.70 грн
14+
197.55 грн
30+
191.97 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 28 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO3PN
Напруга сток-джерело
300В
Струм стока
35А
Опір в стані провідності
56мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
500Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
0,1мкКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
236А
Додаткова інформація: Маса брутто: 5,2 g