0 0 0
  8. FDB0190N807L

Транзистори з каналом N SMD FDB0190N807L

 
FDB0190N807L
 
ONSEMI
Артикул: 524511
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 190А; Idm: 1440А; 250Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
409.57 грн
4+
295.63 грн
10+
279.69 грн
800+
273.32 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK-6(1888068)
Напруга сток-джерело
80В(1441260)
Струм стока
190А(1479556)
Опір в стані провідності
4,3мОм(1479335)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
250Вт(1701928)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
249нКл(1713012)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
1,44кА(1810478)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,5 g
 
Транзистори з каналом N SMD FDB0190N807L
ONSEMI
Артикул: 524511
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 190А; Idm: 1440А; 250Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
409.57 грн
4+
295.63 грн
10+
279.69 грн
800+
273.32 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK-6
Напруга сток-джерело
80В
Струм стока
190А
Опір в стані провідності
4,3мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
250Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
249нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
1,44кА
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,5 g