0 0 0
  8. FDB045AN08A0

Транзистори з каналом N SMD FDB045AN08A0

 
FDB045AN08A0
 
ONSEMI
Артикул: 076007
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 90А; 310Вт; D2PAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
248.58 грн
5+
219.89 грн
6+
189.62 грн
15+
179.26 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 40 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498)
Напруга сток-джерело
75В(1441319)
Струм стока
90А(1479466)
Опір в стані провідності
8,4мОм(1479402)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
310Вт(1741906)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
138нКл(1632957)
Технологія
PowerTrench®(1632936)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,59 g
 
Транзистори з каналом N SMD FDB045AN08A0
ONSEMI
Артикул: 076007
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 90А; 310Вт; D2PAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
248.58 грн
5+
219.89 грн
6+
189.62 грн
15+
179.26 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 40 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Напруга сток-джерело
75В
Струм стока
90А
Опір в стані провідності
8,4мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
310Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
138нКл
Технологія
PowerTrench®
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,59 g